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[1]张文文,曹宇,曾韡,等. 镧对硅纳米管生长的影响机制[J].复旦学报(自然科学版),2014,06:770-773.
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 镧对硅纳米管生长的影响机制(PDF)

《复旦学报》(自然科学版)[ISSN:/CN:]

期数:
2014年06
页码:
770-773
栏目:
出版日期:
2014-12-09

文章信息/Info

Title:
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作者:
 张文文曹宇曾韡江素华
Author(s):
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关键词:
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Keywords:
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分类号:
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DOI:
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文献标识码:
A
摘要:
 采用热蒸发法,在初始反应物硅(Si及一氧化硅(SiO)混合粉末中加入镧(La)粉,能够成功地制备出硅纳米管。La粉作为一种特殊的气化调节剂,可以通过调节气化SiO的浓度来控制一维硅纳米材料的形貌,而且在最终的产物中并没有发现任何杂质。基于三相界面优先生长模型及氧化辅助生长理论来解释这种可控生长。采用透射电子显微镜(TEM)来分析产物形貌,并通过电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)及X射线衍射(XRD)分析产物及剩余物成分。
Abstract:

参考文献/References

备注/Memo

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更新日期/Last Update: 2014-12-10