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[1]徐晨辉,叶凡,任俊彦. 一种高摆率低功耗无片外电容的LDO设计[J].复旦学报(自然科学版),2018,01:79-84.
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 一种高摆率低功耗无片外电容的LDO设计(PDF)

《复旦学报》(自然科学版)[ISSN:/CN:]

期数:
2018年01
页码:
79-84
栏目:
出版日期:
2018-02-06

文章信息/Info

Title:
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作者:
 徐晨辉叶凡任俊彦
Author(s):
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关键词:
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Keywords:
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分类号:
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DOI:
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文献标识码:
A
摘要:
 

介绍了一种低功耗的无片外电容快速响应的LDO,用于数字电路供电.LDO采用电流型跨导运算放大器,克服了传统运算放大器摆率和静态电流之间的矛盾,提出了一种瞬态增强电路,既可以动态地调整误差放大器偏置,同时能够直接对调整管栅电压进行调节,增强了负载瞬态响应性能.LDO基于28?nm CMOS工艺,面积为55×42?μm2.输入1.1?V,压差约为100?mV,最大负载电流50?mA.静态电流为5?μA,在负载电流变化率为49.9?mA/μS的情况下,恢复时间为2.5?μS,过冲电压和下冲电压小于100?mV.

Abstract:

参考文献/References

备注/Memo

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更新日期/Last Update: 2018-02-07