[1]牛学恒,白晶,李金花,等.原位钼修饰TiO2/BiVO4异质结薄膜的制备及其光电化学性能[J].复旦学报(自然科学版),2018,02:215-222.
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原位钼修饰TiO2/BiVO4异质结薄膜的制备及其光电化学性能(PDF)
《复旦学报》(自然科学版)[ISSN:/CN:]
- 期数:
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2018年02
- 页码:
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215-222
- 栏目:
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- 出版日期:
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2018-04-25
文章信息/Info
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- 作者:
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牛学恒; 白晶; 李金花; 周保学
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- Author(s):
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- 关键词:
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- 分类号:
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- 文献标识码:
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A
- 摘要:
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针对TiO2可见光响应能力不足、BiVO4光生电子空穴分离能力弱的问题,论文制备了一种基于钼原位掺杂BiVO4修饰TiO2纳米管的高性能Mo-BiVO4/TiO2异质结光阳极。实验结果表明,钼掺杂后异质结电极材料的吸收带边约510??nm,光电流密度在1.23 V vs. RHE偏压下达到1.48 mA/cm2,与未掺杂钼的TiO2/BiVO4光电极相比,Mo-BiVO4/TiO2光阳极的光电转化效率提高了近50 %,光电流密度提高了近2.5倍,光转化效率在0.95 V vs. RHE偏压下提高了2倍,且电极的稳定性较好。
- Abstract:
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更新日期/Last Update:
2018-05-08