|本期目录/Table of Contents|

[1]牛学恒,白晶,李金花,等.原位钼修饰TiO2/BiVO4异质结薄膜的制备及其光电化学性能[J].复旦学报(自然科学版),2018,02:215-222.
点击复制

原位钼修饰TiO2/BiVO4异质结薄膜的制备及其光电化学性能(PDF)

《复旦学报》（自然科学版）[ISSN:/CN:]

期数:
2018年02
页码:
215-222
栏目:
出版日期:
2018-04-25

文章信息/Info

Title:
-
作者:
 牛学恒; 白晶; 李金花; 周保学
Author(s):
-
关键词:
-
Keywords:
-
分类号:
-
DOI:
-
文献标识码:
A
摘要:
 针对TiO2可见光响应能力不足、BiVO4光生电子空穴分离能力弱的问题，论文制备了一种基于钼原位掺杂BiVO4修饰TiO2纳米管的高性能Mo-BiVO4/TiO2异质结光阳极。实验结果表明，钼掺杂后异质结电极材料的吸收带边约510??nm，光电流密度在1.23 V vs. RHE偏压下达到1.48 mA/cm2，与未掺杂钼的TiO2/BiVO4光电极相比，Mo-BiVO4/TiO2光阳极的光电转化效率提高了近50 %，光电流密度提高了近2.5倍，光转化效率在0.95 V vs. RHE偏压下提高了2倍，且电极的稳定性较好。
Abstract:
-

参考文献/References

-

备注/Memo

备注/Memo:
-
更新日期/Last Update: 2018-05-08