[1]曾绍海,林宏,陈张发,等. 55nm双大马士革结构中电镀铜添加剂的研究[J].复旦学报(自然科学版),2018,04:504-508.
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55nm双大马士革结构中电镀铜添加剂的研究(PDF)
《复旦学报》(自然科学版)[ISSN:/CN:]
- 期数:
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2018年04
- 页码:
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504-508
- 栏目:
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- 出版日期:
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2018-08-25
文章信息/Info
- Title:
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- 作者:
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曾绍海; 林宏; 陈张发; 李铭
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- Author(s):
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- 关键词:
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- Keywords:
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- 分类号:
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- DOI:
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- 文献标识码:
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A
- 摘要:
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本文研究了电镀铜过程中添加剂对55nm技术代双大马士革结构的影响,为集成电路制造生产线提供有力的数据支持.在12英寸电镀设备上,对不同添加剂配比所电镀的铜膜,分别进行了光片上的基本工艺性能、图形片上的填充性能、55nm技术代的铜互连工艺上的电学性能和可靠性的验证评估.通过对各种性能指标的考核,提出了针对该电镀液及添加剂的改进方案并优化电镀工艺菜单.最终确立其适用于芯片铜互连电镀工艺的工程应用窗口,使该产品满足集成电路制造生产线的要求.
- Abstract:
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更新日期/Last Update:
2018-08-29