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[1]曾绍海,林宏,陈张发,等. 55nm双大马士革结构中电镀铜添加剂的研究[J].复旦学报(自然科学版),2018,04:504-508.
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 55nm双大马士革结构中电镀铜添加剂的研究(PDF)

《复旦学报》（自然科学版）[ISSN:/CN:]

期数:
2018年04
页码:
504-508
栏目:
出版日期:
2018-08-25

文章信息/Info

Title:
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作者:
 曾绍海; 林宏; 陈张发; 李铭
Author(s):
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关键词:
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Keywords:
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分类号:
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DOI:
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文献标识码:
A
摘要:
 本文研究了电镀铜过程中添加剂对55nm技术代双大马士革结构的影响，为集成电路制造生产线提供有力的数据支持.在12英寸电镀设备上，对不同添加剂配比所电镀的铜膜，分别进行了光片上的基本工艺性能、图形片上的填充性能、55nm技术代的铜互连工艺上的电学性能和可靠性的验证评估.通过对各种性能指标的考核，提出了针对该电镀液及添加剂的改进方案并优化电镀工艺菜单.最终确立其适用于芯片铜互连电镀工艺的工程应用窗口，使该产品满足集成电路制造生产线的要求.
Abstract:

参考文献/References

备注/Memo

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更新日期/Last Update: 2018-08-29