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[1]傅若凡,杨建文,张群.非晶氧化锡铋薄膜晶体管偏压稳定性的研究[J].复旦学报(自然科学版),2019,01:103-108.
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非晶氧化锡铋薄膜晶体管偏压稳定性的研究(PDF)

《复旦学报》(自然科学版)[ISSN:/CN:]

期数:
2019年01
页码:
103-108
栏目:
出版日期:
2019-02-18

文章信息/Info

Title:
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作者:
傅若凡杨建文张群
Author(s):
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关键词:
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Keywords:
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分类号:
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DOI:
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文献标识码:
A
摘要:
本文通过射频磁控溅射方法,在Si-SiO2 衬底上制备了底栅层错型的非晶氧化锡铋(a-SnBiO)薄膜晶体 管(TFTs),并表现出优良的开关特性.所制备的a-SnBiO TFTs阈值电压为0.7V,开关比为2.0×107.并且,通 过在环境真空中的测试研究了a-SnBiOTFTs的偏压稳定性.研究发现,无论在正偏压下还是负偏压下,a-SnBiO TFTs均展现出了负向阈值电压漂移现象.这是由于沟道层内部缺陷态过多造成,偏压下氧空位相关缺陷电离产 生自由载流子,使得沟道层中载流子浓度增加,造成阈值电压向负方向漂移.
Abstract:

参考文献/References

备注/Memo

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更新日期/Last Update: 2019-02-19