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[1]张元珏,高尚鹏.基于全电子方法和TB -mBJ势的硫化镉 多型体能带结构计算[J].复旦学报(自然科学版),2020,02:208-215.
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基于全电子方法和TB -mBJ势的硫化镉 多型体能带结构计算
(PDF)

《复旦学报》(自然科学版)[ISSN:/CN:]

期数:
2020年02
页码:
208-215
栏目:
出版日期:
2020-04-25

文章信息/Info

Title:
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作者:
张元珏 高尚鹏
Author(s):
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关键词:
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Keywords:
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分类号:
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DOI:
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文献标识码:
A
摘要:
常见的硫化镉多型体为纤锌矿结构硫化镉( w-CdS)和闪锌矿结构硫化镉( zb -CdS). 在高压下w-CdS或 zb -CdS都会向岩盐矿结构( r s -CdS)转变. 在有外加压强条件下的CdS电子能带结构在实验上一直备受关注. 全 势线性缀加平面波方法计算所得电子能带结构表明:w-CdS与zb -CdS具有直接带隙, r s -CdS是间接带隙材料. 为了更准确的预测禁带宽度,我们探讨了Hubbard U 修正和TB -mBJ势的作用,采用TB -mBJ势的能带结构计算得到的w-CdS和zb -CdS的禁带宽度分别为2 .74eV和2 .66eV,和实验值比较接近. 我们采用TB -mBJ势对不同外压下的r s -CdS进行了能带结构计算,指出r s -CdS在高压下仍然保持价带顶在L点,导带底在X点的间 接带隙特征. 分析了禁带宽度随压强增大而减小的趋势,采用TB -mBJ势的结果和r s -CdS高压下的光学实验结 果符合.
Abstract:

参考文献/References

备注/Memo

备注/Memo:
更新日期/Last Update: 2020-05-09