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[1]杨碧赞.氧离子注入对氧化钒薄膜电学特性影响的研究[J].复旦学报(自然科学版),2018,02:223-227.
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氧离子注入对氧化钒薄膜电学特性影响的研究(PDF)

《复旦学报》(自然科学版)[ISSN:/CN:]

期数:
2018年02
页码:
223-227
栏目:
出版日期:
2018-04-25

文章信息/Info

Title:
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作者:
杨碧赞
Author(s):
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关键词:
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Keywords:
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分类号:
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DOI:
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文献标识码:
A
摘要:
 采用直流磁控溅射方法在Si3N4/Si衬底上淀积了一层55?nm的氧化钒薄膜,随后对氧化钒薄膜分别进行不同剂量的O+Ar+注入。O+具有非常强的化学活性,能够钝化各种电子材料中的缺陷状态,而Ar+作为一种惰性离子,主要是作为一种对比来研究离子轰击对氧化钒的影响。利用四探针测试设备、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、拉曼分析(Raman)、傅里叶红外光谱分析(FTIR)、X射线光电子能谱分析(XPS)以及X射线衍射仪(XRD)等表征方法来分析离子注入前后氧化钒薄膜性质的变化。实验结果表明,低剂量的O+Ar+注入都能够使氧化钒的电阻温度系数(TCR)上升,TCR分别达到了 2.57%/K 2.51%/K。而高剂量的O+Ar+注入反倒会使氧化钒的TCR和方块电阻急剧下降。分析发现低剂量O+注入前后薄膜的表面形貌和价键没有发生明显变化。研究表明低剂量O+注入后载流子跳跃导电的激活能上升了,从而导致TCR上升。
Abstract:

参考文献/References

备注/Memo

备注/Memo:
更新日期/Last Update: 2018-05-08